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WRGBL410 GBL 4A贴片快恢复软桥 佑风微品牌

型号:WRGBL410

封装:GBL

品牌:YFW佑风微

类型:快恢复整流桥堆

★电性参数:4A1000V

★芯片材质:快恢复芯片

★正向电流IF(AV):4A

★正向电压(VF):1.0V

★浪涌电流(IFSM):110A

★反向漏电流(IR):5uA

★恢复时间(TRR):10uS

★芯片尺寸:标准尺寸

★工作温度:-55~+175

★包装数量:0.5K每盒


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产品参数描述:

型号:WRGBL410

封装:GBL

品牌:YFW佑风微

类型:快恢复整流桥堆

★电性参数:4A1000V

★芯片材质:快恢复芯片

★正向电流IF(AV):4A

★正向电压(VF):1.0V

★浪涌电流(IFSM):110A

★反向漏电流(IR):5uA

★恢复时间(TRR):10uS

★芯片尺寸:标准尺寸

★工作温度:-55~+175

★包装数量:0.5K每盒




WRGBL410   GBL 快恢复软桥就是由两个或四个二极管组成的整流器件。桥堆有半桥和全桥以及三相桥三种半桥又有正半桥和负半桥两种,堆桥的文字符号为UR。全桥由四只二极管组成,有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的"正极",两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的"负极"。 半桥由两只二极管组成,有三个引出脚。正半桥两边的管脚是两个二极管的正极,即交流输入端;中间管脚是两个二极管的负极,即直流输出端的"正极"。负半桥两边的管脚上两个二极管的负极,即交流输入端;中间管脚是两个二极管的正极,即直流输出端的"负极"。一个正半桥和一个负半桥就可以组成一个全桥。

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MOS场效应管







佑风微电子可按客户需求定制各类二极管桥堆。

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